2月20日，JEDEC（固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)）正式推出JESD209-5，這是用于低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5（LPDDR5）的新型低功耗存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。
與2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)相比，LPDDR5 I/O速度從3200 MT/s增加到6400 MT/s（6400 Mbps DRAM速度）。如果匹配高端智能手機(jī)常用的64位總線，則每秒可傳輸51.2GB的數(shù)據(jù)。如果PC的128位總線為每秒100GB，則沒(méi)有壓力。
固態(tài)協(xié)會(huì)認(rèn)為L(zhǎng)PDDR5可望顯著提高下一代便攜式電子設(shè)備（手機(jī)，平板電腦）的性能。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，標(biāo)準(zhǔn)重新設(shè)計(jì)了架構(gòu)LPDDR5高達(dá)數(shù)家銀行的16級(jí)可編程架構(gòu)。與此同時(shí)，數(shù)據(jù)復(fù)制和寫入-X都降低整體系統(tǒng)功耗。第一個(gè)可以將單個(gè)引腳的數(shù)據(jù)直接復(fù)制到其他引腳，后者。這可以降低SoC和RAM傳輸數(shù)據(jù)時(shí)的功耗。此外，LPDDR5還引入與250毫伏信號(hào)和VDDQ/VDD2電壓1.1V的電壓誤差校正ECC鏈路。事實(shí)上，去年七月，三星宣布第一存儲(chǔ)器芯片LPDDR5-6400產(chǎn)業(yè)的成功發(fā)展，技術(shù)的基礎(chǔ)上10種納米工藝，獨(dú)特的能力，為8Gb（1GB），在頂部的高通4G/5G舉行去年十月在香港。據(jù)消息人士稱三星計(jì)劃到內(nèi)存LPDDR5在2020年購(gòu)得。

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